Name: IPD50N04S3-08 Оригинал IC обломока интегральной схемаы TO-252 совершенно новый неиспользованный
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD50N04S3-08
Price: Negotiable USD
Availability: InStock

Дом > Продукты > интегральная схемаа ic >

IPD50N04S3-08 Оригинал IC обломока интегральной схемаы TO-252 совершенно новый неиспользованный

Место происхождения:

Оригинал

Фирменное наименование:

INFINEON

Номер модели:

IPD50N04S3-08

свяжитесь мы

Запросите цитату

IPD50N04S3-08 Оригинал IC обломока интегральной схемаы TO-252 совершенно новый неиспользованный

Детали продукта

качество::

Совершенно новое неиспользованное

Пакет/коробка::

TO-252

Условия оплаты & доставки

Количество мин заказа

1PCS

Цена

Negotiate

Упаковывая детали

4000

Время доставки

Запас

8000+

Условия оплаты

D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение,

Поставка способности

97830pcs

Родственные продукты

свяжитесь мы

+8613380499166

kezhida@lianyixinic.com

Контакт теперь

Описание продукта

ISO9001.pdf
Применение:
IPD50N04S3-08 MOSFET N-канала широко используемый в различном низшем напряжении и сильнотоковых конвертерах DC-DC, управлении мотора, управлении освещения, и полях управления силы.
Заключение:
IPD50N04S3-08 принимает предварительную технологию изготовления и имеет преимущества как низкое сопротивление кондукции, высоковольтное сопротивление, и низкая переключая потеря, делая его выдающий в эффективных применениях управления силы.
Параметры:
Максимальное напряжение тока стока: 40V
Максимальное течение стока: 50A
Сопротивление кондукции: 6.5m Ω
Ряд напряжения тока ворот: ± 20V
Статическая входная емкость: 3000pF
Работая диапазон температур: -55 ℃ ℃~175
Упаковка:
IPD50N04S3-08 упаковано в TO-252 (DPAK), которое небольшое в размере и легко для установки, соответствующем для дизайна монтажной платы высокой плотности.

Технические данные продукта

ЕС RoHS	Уступчивый с освобождением
ECCN (США)	EAR99
Состояние части	NRND
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Да
SVHC превышает порог	Да
Автомобильный	Да
PPAP	Неизвестный
Категория продукта	MOSFET силы
Конфигурация	Одиночный
Технологический прочесс	OptiMOS
Режим канала	Повышение
Тип канала	N
Количество элементов в обломок	1
Максимальное напряжение тока источника стока (v)	40
Максимальное напряжение тока источника ворот (v)	±20
Максимальное напряжение тока порога ворот (v)	4
Максимальное непрерывное течение стока (a)	50
Максимальное сопротивление источника стока (mOhm)	7.5@10V
Типичная обязанность @ Vgs ворот (nC)	27@10V
Типичная обязанность @ 10V ворот (nC)	27
Типичная входная емкость @ Vds (pF)	1800@25V
Максимальная диссипация силы (mW)	68000
Типичное время падения (ns)	6
Типичное время восхода (ns)	7
Типичное время задержки поворота- (ns)	16
Типичное время задержки включения (ns)	11
Минимальная рабочая температура (°C)	-55
Максимальная рабочая температура (°C)	175
Упаковка	Лента и вьюрок
Пульсированные максимальные стекают течение @ TC=25°C (a)	200
Установка	Поверхностный держатель
Высота пакета	2,3
Ширина пакета	6,22
Длина пакета	6,5
PCB изменил	2
Плата	Плата
Имя стандартного пакета	TO-252
Пакет поставщика	DPAK
Отсчет Pin	3

Тэги：

IPD50N04S3-08 Оригинал IC обломока интегральной схемаы TO-252 совершенно новый неиспользованный

Интегральная схемаа XILINX Ic

ОБЛОМОК интегральной схемаы Ic

Оригинал интегральной схемаы IC