Отправить сообщение
Дом > Продукты > интегральная схемаа ic >
IPD100N04S402ATMA1 Интегрированное питание Ic TO-252

IPD100N04S402ATMA1 Интегрированное питание Ic TO-252

IPD100N04S402ATMA1 Интегрированная мощность Ic

TO-252 Интегрированная электростанция Ic

IPD100N04S402ATMA1 интегральная схема IC чип

Место происхождения:

Оригинал

Фирменное наименование:

INFINEON

Номер модели:

IPD100N04S402ATMA1

свяжитесь мы

Запросите цитату
Детали продукта
качество::
Совершенно новое неиспользованное
Пакет/коробка::
TO-252
Условия оплаты & доставки
Количество мин заказа
1PCS
Цена
Negotiate
Упаковывая детали
4000
Время доставки
3
Запас
8000+
Условия оплаты
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности
97830pcs
Родственные продукты
Хорошая цена BSP613PH6327 SOT223 интегральная схема IC чип онлайн Видео

BSP613PH6327 SOT223 интегральная схема IC чип

Получите самую лучшую цену
Хорошая цена IPD100N04S402ATMA1 Интегрированное питание Ic TO-252 онлайн Видео

IPD100N04S402ATMA1 Интегрированное питание Ic TO-252

Получите самую лучшую цену
Хорошая цена IPD320N20N3G Ic интегральная схема TO-252 онлайн Видео

IPD320N20N3G Ic интегральная схема TO-252

Получите самую лучшую цену
свяжитесь мы
Описание продукта

ISO9001.pdf

Применение:
IPD100N04S402ATMA1 - это N-канальный MOSFET-транзистор, обычно используемый в таких областях, как коммутаторы постоянного тока, управление двигателями, управление освещением и электронные трансформаторы.
Заключение:
IPD100N04S402ATMA1 обладает характеристиками низкого сопротивления проводности, высокой скорости переключения, низкого порогового напряжения и высокой температурной работоспособности,которые могут повысить эффективность и надежность системы.
Параметры:
Напряжение источника отвода (Vdss): 40V
Постоянный отводный ток (Id): 90A
Источник оттока на сопротивление (Rds On): 3,7 м Ω
Пороговое напряжение (Vgs th): 2,5 В
Максимальная рабочая температура (Tj max): 175 °C
Пакет: TO-252 (DPAK)

Технические спецификации продукции
RoHS ЕС Соответствует требованиям исключения
ECCN (США) EAR99
Статус части Активный
HTS 8541.29.00.95
SVHC Да, да.
СВХС превышает пороговое значение Да, да.
Автомобильная промышленность Да, да.
PPAP Неизвестно
Категория продукции Мощность MOSFET
Конфигурация Одинокий
Технологии обработки OptiMOS-T2
Режим канала Улучшение
Тип канала N
Количество элементов на чип 1
Максимальное напряжение источника отвода (V) 40
Максимальное напряжение источника входа (V) ¥20
Максимальное пороговое напряжение (V) 4
Максимальный непрерывный ток оттока (A) 100
Максимальное сопротивление источника оттока (MOhm) 2@10В
Типичное зарядное устройство @ Vgs (nC) 91@10В
Типичное заряжение шлюза @ 10В (nC) 91
Типичная емкость ввода @ Vds (pF) 7250@25В
Максимальное рассеивание мощности (мВт) 150000
Типичное время падения (ns) 24
Типичное время повышения (ns) 12
Типичное время задержки отключения (ns) 26
Типичное время задержки включения (ns) 23
Минимальная рабочая температура ( capturC) -55
Максимальная рабочая температура ( capturedC) 175
Температурный класс поставщика Автомобильная промышленность
Опаковка Лента и катушка
Максимальный импульсный отводный ток @ TC=25 capturC (A) 400
Установка Поверхностный монтаж
Высота упаковки 2.3
Ширина пакета 6.22
Длина упаковки 6.5
Изменение ПХБ 2
Вкладка Вкладка
Стандартное название пакета TO-252
Пакет поставщиков DPAK
Количество пин 3

Отправьте запрос непосредственно нам

Политика уединения Качество Китая хорошее интегральная схемаа ic Поставщик. © авторского права 2022-2025 ic-integratedcircuit.com . Все права защищены.